一種二硫化鉬二維原子晶體控制合成的新方法
時間：2021-04-10 09:56:01學(xué)院：化學(xué)系學(xué)校：清華大學(xué)
二硫化鉬二維原子晶體是一種新興的二維半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的場效應(yīng)性能，可以用作石墨烯的互補(bǔ)材料，在納電子器件領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。其實(shí)用化的關(guān)鍵是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量二硫化鉬原子晶體的可控合成。針對這一問題，清華大學(xué)化學(xué)系的焦麗穎副教授課題組提出了基于逐層表面硫化思路的二硫化鉬二維原子晶體控制合成方法，利用單晶二氧化鉬作為原材料，實(shí)現(xiàn)了高結(jié)晶性二硫化鉬薄片的層數(shù)控制合成。他們進(jìn)而將合成得到的材料制備成為場效應(yīng)晶體管，其性能與機(jī)械剝離法得到的二硫化鉬所構(gòu)建的晶體管相比擬。這一合成方法為進(jìn)一步探索二硫化鉬二維原子晶體的新奇物性及應(yīng)用研究奠定了基礎(chǔ)。相關(guān)工作發(fā)表在J. Am. Chem. Soc.2013, 135, 5304，并被J. Am. Chem. Soc.作為Spotlights報道（J.Am.Chem.Soc.2013, 135, 5475）。
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