魏大程課題組發(fā)展出摻氮石墨烯在介電襯底低溫生長的新方法
石墨烯由于其超高載流子遷移率，優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性，有望成為新一代的電子材料。但是石墨烯的生長通常需要高溫，并且通常只能在金屬表面進行，極大限制了石墨烯在半導體電子器件中的應用。目前，還缺少直接在介電表面低溫生長摻氮石墨烯的技術(shù)。
魏大程課題組與新加坡國立大學的合作者，通過改進等離子體增強化學氣相沉積法，發(fā)展出一種在石墨烯生長與等離子體刻蝕之間的臨界條件下生長大面積摻氮石墨烯單晶的新方法。這種方法生長溫度低，最低可達到435℃，可以在非金屬介電表面進行，克服了現(xiàn)有方法制備的樣品不能直接用于電學器件的問題。該方法制備的摻氮石墨烯具有較高的載流子遷移率和n型導電性質(zhì)，與現(xiàn)有半導體工藝有良好的兼容性，將推進石墨烯在半導體產(chǎn)業(yè)中的應用。
相關論文在權(quán)威專業(yè)期刊ACS nano發(fā)表，詳見Dacheng Wei* , Lan Peng, Menglin Li, Hongying Mao, Tianchao Niu, Cheng Han, Wei Chen, and Andrew Thye Shen Wee. Low temperature critical growth of high quality nitrogen doped graphene on dielectrics by plasma-enhanced chemical vapor deposition, ACS Nano, 2015, 9 (1): 164–171
論文鏈接http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn505214f
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