量子相干利于MoS2/MoSe2范德瓦爾斯異質結電荷分離
二維金屬硫族化合物(MX2, M=Mo, W; X= S, Se)由于其優(yōu)異的電子和光學性質,在光催化及光伏領域具有重大的應用情景。為了實現(xiàn)高效的光電轉換,光激發(fā)的電子-空穴對必須分離為自由的電子和空穴。由于MX2中電子-空穴庫倫相互作用比電荷分離的驅動力大,研究人員普遍認為MX2及其異質結的電荷分離效率低。然而,大量的實驗卻發(fā)現(xiàn)與之相反的現(xiàn)象,及在眾多MX2異質結中觀測到層間超快電子和空穴轉移,從而實現(xiàn)電子-空穴對的有效分離。但是促使MX2異質結電荷有效分離的內在物理原因一直存在爭論。
最近,化學學院龍閏及南加州大學的Prezhdo教授合作,利用含時密度泛函理論結合非絕熱動力學計算,詳細研究了MoS2/MoSe2范德瓦爾斯異質結的關鍵電子態(tài)間的量子退相干時間、電荷密度分布和電子、空穴轉移動力學,提出電子態(tài)之間的量子相干有利于施主-受主電荷離域化,促進電荷分離。同時,研究指出了電子轉移比空穴轉移快的微觀原因。而該研究為理解二維金屬硫化物半導體材料的光誘導的非平衡態(tài)電子-空穴對有效分離提供了十分有價值的觀點。
Nano Lett. 2016, DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05264
這一研究成果發(fā)表于《Nano Lett.》: Quantum Coherence Facilitates Efficient Charge Separation at a MoS2/MoSe2 van der Waals Junction。
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